- 行业设计挑战：宽禁带半导体驱动电容技术升级电力电子工程师面临着一个普遍难题：最新的半导体技术实现了更小体积、更高效率、更大功率输出的变流器设计，但系统中其他所有元器件都必须跟上这一技术节奏。碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带（WBG）半导体是这一变革的核心驱动力，其更快的开关速度、更低的损耗及更高的结温耐受能力，让变流器布局更紧凑且能在高温环境下工作，这也对电容提出了更高的适配要求（见图 1）。图 1：基于新型半导体特性的电容新需求现代直流母线电容需要在更小的封装内承受更高的电场强度和更大的电流密
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